GaN基金属-半导体-金属探测器

• 作者: 刘宗顺 刘文宝 孙苋 张爽 杨辉 王小兰 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MSM探测器 暗电流 光谱响应 陷阱模型
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 588-590
• 页数: 3页
• 分类号: TN364
• 字数: 1273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.151

摘要

采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射后能够恢复.光谱响应测量中发现带隙内368nm处有光电导性质的异常峰值响应,808nm的激光对其有明显的淬灭作用,并根据陷阱模型对这些现象做出了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
3	张爽	中国科学院半导体研究所	16	48	4.0	6.0
4	王小兰	中国科学院半导体研究所	6	13	2.0	3.0
5	刘宗顺	中国科学院半导体研究所	8	28	3.0	5.0
6	刘文宝	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0
7	孙苋	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0