ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究

• 作者: 刘玉岭 周建伟 张伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 CMP 表面活性剂 研磨速率 粗糙度
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 572-573
• 页数: 2页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.147

摘要

通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析,总结了影响硅片表面质量的主要影响因素,提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法,在研磨加工过程中减少强烈的、单一的机械作用,增加化学作用.通过实验研究得出了研磨速率提高20%,表面粗糙度降低,有效地降低了硅片表面损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0
3	张伟	河北工业大学微电子研究所	50	256	10.0	12.0