AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压

• 作者: 张敏 林兆军 赵建芝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 阈值电压 C-V曲线
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 422-425
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.108

摘要

利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兆军	山东大学物理与微电子学院	4	8	2.0	2.0
2	张敏	山东大学物理与微电子学院	132	841	16.0	22.0
3	赵建芝	山东大学物理与微电子学院	1	3	1.0	1.0