采用场板和B+离子注入边缘终端技术的Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管

• 作者: 任春江 李哲洋 柏松 陈刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 理想因子 势垒高度 离子注入
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1333-1336
• 页数: 4页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.001

摘要

采用自主外延的4H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子n=1.08,势垒高度(ψe)=1.05eV,串联电阻为6.77mΩ·cm2,正向电压为4V时,电流密度达到430A/cm2.反向击穿电压大于1.1kV,室温下,反向电压为1.1kV时,反向漏电流为5.96×10-3 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	19	61	5.0	7.0
2	任春江	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	14	78	6.0	8.0
3	李哲洋	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	11	71	5.0	8.0
4	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	20	83	6.0	8.0