下一代栅材料-难熔金属

• 作者: 周华杰 徐秋霞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 金属栅 难熔金属 多晶硅栅耗尽效应 硼穿通
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 398-402
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 4859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.014

摘要

随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了选择难熔金属栅材料所需考虑的因素以及五种主要的制备工艺,并对比了它们各自的优缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	周华杰	中国科学院微电子研究所	6	11	2.0	2.0