一种新型的低功耗SEU加固存储单元

• 作者: 刘必慰 梁斌 陈书明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 设计加固 存储单元
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 755-758
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.025

摘要

提出了一种新的SEU加固单元,该单元在保持Whitaker单元基本结构的基础上增加4个晶体管以消除电平退化.SPICE模拟结果表明该单元读写功能正确,静态电流较Whitaker单元下降了4个数量级,写入速度和其他单元相当.通过DESSIS和SPICE混合模拟表明,该单元在LET为94MeV/(mg·cm2)的Au离子撞击下没有发生翻转.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科学技术大学计算机学院	36	224	7.0	13.0
2	梁斌	国防科学技术大学计算机学院	6	26	3.0	5.0
3	刘必慰	国防科学技术大学计算机学院	4	71	3.0	4.0