用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型

• 作者: 戴振清 杨克武 杨瑞霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC n-MOSFET 阈值电压 界面态参数 高温迁移率
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1252-1255
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.017

摘要

提出了适用于电路模拟的4H-SiC n-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素.采用与温度-阈值电压实验曲线拟合的方法,确定了界面态参数和固定氧化物电荷.基于新迁移率模型的模拟结果与实验吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞		180	759	13.0	18.0
2	戴振清		9	21	2.0	4.0
4	杨克武		26	186	6.0	13.0