GaAs基单电子晶体管低温探测THz光子的研究

• 作者: 汤圆美树 葛西诚也 韩伟华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 THz光子探测 光子辅助隧穿
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 500-506
• 页数: 7页
• 分类号: TN321
• 字数: 1031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.006

摘要

低温条件下具有肖特基围栅结构的GaAs基单电子晶体管可重复探测到THz光子的光电流响应.实验表明,2.54THz的CH3OH气体激光垂直入射到单电子晶体管的量子点上,在随栅压变化的源漏共振电流峰附近,产生附加电流峰.通过这两个峰位的栅压间距可以估算出THz光子的能量.这表明附加电流峰是由THz光子辅助电子隧穿产生的.实验和理论都表明,单电子晶体管量子点尺寸的减小有利于THz光电流信号的增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩伟华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	20	98	5.0	9.0