SiC MESFET微波功率器件的研制

• 作者: 张涛 李哲洋 柏松 汪浩 蒋幼泉 陈刚 陈辰 韩春林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MESFET 微波 功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.003

摘要

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiC MESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz 64V工作时,连续波输出功率达4.09W,功率增益为9.3dB,PAE为31.3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.