InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

• 作者: 于彤军 刘鹏 宋金德 张国义 徐科 林亮 秦志新 童玉珍 陈志忠 齐胜利
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 多量子阱 透射电子显微镜 电致发光谱 阴极荧光谱
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1121-1124
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.024

摘要

研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.