应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

• 作者: 宣荣喜 崔晓英 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变SiGe SOI MOSFET 阈值电压 模型
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3504-3508
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 2645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.077

摘要

在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的Si SOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V,特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	崔晓英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	25	1.0	1.0