利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用

• 作者: 尹志军 李新化 王玉琦 邱凯 钟飞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 极性 多孔 应力释放
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 909-912
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.018

摘要

使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜.X射线双晶衍射和光致发光等测试结果表明,多孔结构的GaN缓冲层可以有效地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力,使GaN厚膜晶体的质量得到很大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹志军	中国科学院材料物理重点实验室	4	5	2.0	2.0
2	王玉琦	中国科学院材料物理重点实验室	18	215	8.0	14.0
3	李新化	中国科学院材料物理重点实验室	5	3	1.0	1.0
4	钟飞	中国科学院材料物理重点实验室	4	17	2.0	4.0
5	邱凯	中国科学院材料物理重点实验室	3	14	2.0	3.0