LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷

• 作者: 卜俊鹏 惠峰 曾一平 朱蓉辉 赵冀 郑红军 高永亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 砷沉淀 微缺陷 抛光晶片 表面缺陷 光散射
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 137-140
• 页数: 4页
• 分类号: TM23
• 字数: 2971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.032

摘要

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
2	郑红军	中国科学院半导体研究所材料中心	6	50	3.0	6.0
3	卜俊鹏	中国科学院半导体研究所材料中心	5	47	3.0	5.0
4	高永亮	中国科学院半导体研究所材料中心	4	9	2.0	3.0
5	惠峰	中国科学院半导体研究所材料中心	5	27	3.0	5.0
6	赵冀	中国科学院半导体研究所材料中心	3	20	1.0	3.0
7	朱蓉辉	中国科学院半导体研究所材料中心	3	20	1.0	3.0