激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究

• 作者: 刘斌 方圆 沈光地 王婷 郭霞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 激光剥离 GaN 扫描电镜 原子力显微镜 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 88-90
• 页数: 3页
• 分类号: TN312
• 字数: 1759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.01.027

摘要

采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上.GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合.采用脉冲宽度30 ns、波长248 nm的准分子脉冲激光透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜,在脉冲激光能量密度为380 mJ/cm2的条件下将蓝宝石衬底剥离下来,实现GaN薄膜向Si衬底的转移.样品截面显微镜和扫描电镜(SEM)照片说明经过键合工艺形成了致密的GaN/Al/Ti/Au/In/Au/Ti/Si结构.对转移衬底后的GaN薄膜进行原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,结果表明金属熔融键合和激光剥离工艺没有对GaN薄膜的结构和光学特性带来明显的不利影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	54	397	11.0	16.0
3	刘斌	北京工业大学电子信息与控制工程学院	35	253	8.0	15.0
4	王婷	北京理工大学宇航科学技术学院	8	217	3.0	8.0
8	方圆	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	13	2.0	2.0