具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性

• 作者: 乔明 周贤达 张波 方健 李肇基 段明伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压互连线 多区 双RESURF LDMOS 击穿电压
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1428-1432
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.020

摘要

对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压互连器件结构可用于电平位移、高压结隔离终端,满足高压领域的电路设计需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	304	9.0	16.0
4	周贤达	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	13	2.0	3.0
5	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
6	段明伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0