脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

• 作者: 余岳辉 周郁明 梁琳 颜家圣
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 通态电流上升率 反向开关晶体管 短脉冲 开关
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN34
• 字数: 2713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.03.001

摘要

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A·μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学电子科学与技术系	39	240	8.0	14.0
2	余岳辉	华中科技大学电子科学与技术系	60	621	14.0	22.0
3	周郁明	华中科技大学电子科学与技术系	9	90	7.0	9.0