插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN

• 作者: 李建平 王晓亮 罗卫军 胡国新 郭伦春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD AlN 缓冲层
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 234-237
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.058

摘要

采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	251	4235	35.0	54.0
2	王晓亮	中国科学院半导体研究所材料科学中心	38	212	9.0	12.0
3	胡国新	中国科学院半导体研究所材料科学中心	13	83	4.0	8.0
4	罗卫军	中国科学院半导体研究所材料科学中心	17	35	4.0	5.0
5	郭伦春	中国科学院半导体研究所材料科学中心	2	2	1.0	1.0