Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质

• 作者: 夏建白 毕京锋 王玮竹 赵建华 邓加军 郑玉宏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 211-214
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.052

摘要

利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	68	886	17.0	27.0
2	邓加军	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	4	109	1.0	4.0
4	毕京锋	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
7	郑玉宏	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
8	王玮竹	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	4	1	1.0	1.0