fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

• 作者: 倪金玉 冯倩 岳远征 张进城 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN MOS-HEMT 超薄Al2O3
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1674-1678
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.002

摘要

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	岳远征	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	15	3.0	3.0
4	张进城	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
5	冯倩	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0