Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

• 作者: 刘国磊 曹强 梅良模 田玉峰 邓江峡 邢鹏飞 陈延学 颜世申
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 稀磁半导体 铁磁性
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 282-284
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 1668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.071

摘要

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.