ZnO/Si(111)界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究

• 作者: 孙柏 张国斌 徐彭寿 李锐鹏 潘国强 赵朝阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO PLD 掠入射衍射 同步辐射
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1756-1760
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.016

摘要

在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管衬底温度是500℃还是300℃,在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态,且随着X射线探测深度的增加,应力增大.结合常规X射线衍射技术,计算了薄膜内的双轴应力;给出了样品的泊松比和c/a值,得出两样品均接近理想的六方密堆积结构,偏离标准的ZnO值.综合各方面实验结果,说明衬底温度控制在500℃时生长的ZnO薄膜具有较好的晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	张国斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	44	298	10.0	15.0
3	李锐鹏	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	11	38	4.0	5.0
4	潘国强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	22	72	5.0	7.0
5	孙柏	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	41	465	13.0	20.0
6	赵朝阳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	6	106	4.0	6.0