垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

• 作者: 于彤军 包魁 康香宁 张国义 徐科 章蓓 聂瑞娟 陈志忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN LED 激光剥离 金属合金键合 垂直电极
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 482-485
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.123

摘要

利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.