900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响

• 作者: 侯洵 张新安 张景文 毕臻 王东 边旭明 韩峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光分子束外延 ZnO 退火 光致发光 激子
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 293-295
• 页数: 3页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 1985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.074

摘要

采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352,3.309和3.237eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1Lo.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.