Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究

• 作者: 晋芳 李佐宜 林更琪 程伟明 谢长生 鄢俊兵
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直磁化膜 稀土-过渡金属(RE-TM) DyCo/Cr薄膜 矫顽力
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1984-1986
• 页数: 3页
• 分类号: O484|TM271
• 字数: 1939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.12.018

摘要

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢长生	华中科技大学计算机学院	348	4405	33.0	51.0
2	程伟明	华中科技大学电子科学与技术系	14	52	4.0	6.0
3	鄢俊兵	华中科技大学电子科学与技术系	14	28	3.0	4.0
4	林更琪	华中科技大学电子科学与技术系	26	85	4.0	7.0
5	李佐宜	华中科技大学电子科学与技术系	59	267	7.0	13.0
6	晋芳	华中科技大学计算机学院	12	53	4.0	6.0