硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析

• 作者: Amanatides Elefterious Mataras Dimitris 张发荣 张晓丹 赵颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体 辉光功率 阻抗 诊断
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 5309-5313
• 页数: 5页
• 分类号: O53
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.053

摘要

采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施加恒定的电压Vel时,随衬底电极外加电压Vs的增加,辉光的电流在增加,结果导致阻抗在减小;另外,通过计算分析发现:仅有一小部分功率用于辉光,大部分功率消耗在匹配器和电缆上.通过对等离子体电学特性的综合测试分析也说明:在保证有足够多的硅烷时,衬底电极外加电压Vs增加时将会提高薄膜的沉积速率.