物理气相法制备AlN晶体

• 作者: 孙秀明 武红磊 郑瑞生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理气相传输 AlN晶体 生长温度
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 263-266
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.066

摘要

研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,AlN晶体的形态从晶须过渡到棱形晶粒.温度高于1950℃时,才能制备出颗粒状.AlN晶体.同时,研究了过饱和压对晶体生长的影响.目前,已经制备出直径为1mm的高质量的六棱柱形的.AlN单晶,最大的单晶体的直径达2mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑瑞生	深圳大学光电子学研究所	14	70	5.0	8.0
2	武红磊	深圳大学光电子学研究所	9	42	4.0	6.0
3	孙秀明	深圳大学光电子学研究所	5	17	2.0	4.0