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摘要:
用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较小、表面状况较好的LaB6薄膜,其逸出功为2.59 eV,具有良好的电子发射性能.
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关键词云
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文献信息
篇名 电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 LaB6薄膜 电子束蒸发 真空热电子发射法 逸出功
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 745-747
页数 3页 分类号 TB43
字数 2357字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林祖伦 电子科技大学光电信息学院 76 442 10.0 15.0
2 陈泽祥 电子科技大学光电信息学院 32 217 9.0 13.0
3 李建军 电子科技大学光电信息学院 6 38 3.0 6.0
4 时晴暄 电子科技大学光电信息学院 3 26 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
LaB6薄膜
电子束蒸发
真空热电子发射法
逸出功
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
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27643
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