具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

• 作者: 张波 李肇基 陈万军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超级结 击穿电压 LDMOS 衬底辅助耗尽效应
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 355-360
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 441字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.008

摘要

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.