90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度

• 作者: 包军林 庄奕琪 马晓华 鲍立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTS 幅度 深亚微米 MOS
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1443-1447
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.023

摘要

研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	包军林	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	306	10.0	16.0
3	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
4	鲍立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	24	4.0	4.0