磁控溅射低温制备ZnO:Al透明导电薄膜的正交设计

• 作者: 刁训刚 武哲 王涛 舒远杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ZAO薄膜 正交设计 低温 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 369-372
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 2145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.03.011

摘要

采用锌铝(2%(质量分数))合金靶,保持真空腔在50℃低温下,结合正交试验表,运用直流反应磁控溅射法制得ZnO∶Al(ZAO)薄膜.通过分光光度计、半导体霍尔效应测试等手段对薄膜各项性能进行了表征.通过正交分析法对所得样品相关特征指标进行分析,在少量的9组实验下,得到溅射功率、时间、靶基距和氧流量百分比4个独立工艺参数对薄膜特性影响的同时,得出直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜的最优组合工艺为:溅射时间20min,靶基距6cm,溅射功率80W,氧流量百分比7%;对应样品的Фic值达4.1050×10-2/Ω,电阻率为3.9×10-4Ω·cm,载流子浓度达1.09×1021/cm3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武哲	北京航空航天大学航空科学与技术学院	180	1134	18.0	26.0
2	舒远杰	中国工程物理研究院化工材料研究所	129	1101	17.0	24.0
3	刁训刚	北京航空航天大学理学院	55	359	10.0	16.0
4	王涛	北京航空航天大学理学院	30	249	9.0	15.0