由RTD/MOSFET构成的新型振荡电路

• 作者: 于欣 张世林 牛萍娟 王伟 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTD/MOSFET 串联单元 振荡器 ADS 电器仿真
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 289-293
• 页数: 5页
• 分类号: TN313.2
• 字数: 2072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.029

摘要

基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性.该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题,如果进一步用高电子迁移率晶体管(HEMT)等高频、高速器件取代MOSFET,可以在很大程度上提高这一电路的工作频率,并可实现RTD/HEMT的单片集成.因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通讯学院	123	617	13.0	17.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津工业大学信息与通讯学院	145	419	10.0	12.0
5	王伟	天津工业大学信息与通讯学院	21	65	4.0	7.0
6	于欣	天津工业大学信息与通讯学院	13	48	4.0	6.0