双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型

• 作者: 刘晓彦 夏志良 徐博卷 曾朗 杜刚 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅 肖特基势垒 阈值电压
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1179-1183
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.003

摘要

通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证了模型结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究院	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究院	38	261	10.0	14.0
3	杜刚	北京大学微电子学研究院	15	56	5.0	7.0
4	徐博卷	北京大学微电子学研究院	1	1	1.0	1.0
5	夏志良	北京大学微电子学研究院	4	7	2.0	2.0
6	曾朗	北京大学微电子学研究院	2	1	1.0	1.0