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摘要:
采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计实现了一种对数增益线性控制型的宽带可变增益放大器.电路采用两级结构,前级采用电压并联负反馈的Cascode结构以实现良好的输入匹配和噪声性能;后级采用信号相加式电路实现增益连续可调.同时本文设计了一种新型指数控制电压转换电路,解决了射频CMOS电路中,由于漏源电流与栅源电压通常不为指数关系而造成放大器对数增益与控制电压不成线性关系的难题,实现了可变增益放大器的对数增益随控制电压呈线性变化.芯片测试结果表明,电路在1.8V电源电压下,电流为9mA,3dB带宽为430~2330MHz.增益调节范围为-3.3~9.5dB,最大增益下噪声系数为6.2dB,最小增益下输入1dB压缩点为-9dBm.
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文献信息
篇名 宽带CMOS可变增益放大器的设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 可变增益放大器 CMOS 宽带 指数线性控制
年,卷(期) 2007,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1967-1971
页数 5页 分类号 TN72
字数 1907字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 李海松 东南大学射频与光电集成电路研究所 13 75 4.0 8.0
3 李智群 东南大学射频与光电集成电路研究所 76 576 10.0 20.0
4 郭峰 东南大学射频与光电集成电路研究所 5 50 3.0 5.0
5 陈东东 东南大学射频与光电集成电路研究所 1 35 1.0 1.0
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
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