基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器

• 作者: 任晓敏 吕吉贺 李轶群 王琦 王睿 苗昂 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质外延 可调谐 光电探测器
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1807-1810
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.026

摘要

实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53 Ga0.47 As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.