大直径6H-SiC晶体PVT法生长感应加热系统有限元分析

• 作者: 张群社 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PVT法 SiC粉源 温度场 温度梯度
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 225-229
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2384字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.056

摘要

采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明,在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过适当调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,提高晶体的质量,同时又有比较高的生长率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	张群社	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	71	5.0	8.0