温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析

• 作者: 孙硕 张桂铃 张福甲 李建丰 欧谷平 胥超 苏庆
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: PTCDA/p-Si Raman光谱 AFM 衬底温度
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 540-541,545
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|O484.4
• 字数: 1680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.04.008

摘要

通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面.采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧谷平	兰州大学物理科学与技术学院	27	88	6.0	7.0
3	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
6	李建丰	兰州大学物理科学与技术学院	10	10	2.0	2.0
7	胥超	兰州大学物理科学与技术学院	4	5	2.0	2.0
8	孙硕	兰州大学物理科学与技术学院	9	17	3.0	3.0
9	张桂铃	兰州大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
10	苏庆	兰州大学物理科学与技术学院	12	33	3.0	5.0