InN材料及器件的最新研究进展

• 作者: 丁少锋 李述体 范广涵 郑树文 陈琨
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: InN 特性 应用 进展
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 5130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.06.005

摘要

InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
3	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
4	陈琨	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	154	4.0	6.0
5	丁少锋	华南师范大学光电子材料与技术研究所	9	157	6.0	9.0