PECVD沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 杨根 汪建华 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电氧化物 氢化微晶硅 H等离子体退化
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1005-1008
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.001

摘要

研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的透光率显著降低.当在SnO2薄膜表面沉积一层ZnO时,既使ZnO膜的厚度为50nm,也可有效地抑制H原子对SnO2的还原效应,并在SnO2/ZnO双层膜上制备了转换效率为3.8%的微晶硅薄膜太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	汪建华	武汉化工学院材料科学与工程学院	57	613	12.0	20.0
3	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	67	484	11.0	19.0
5	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
6	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
7	杨根	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	7	39	4.0	6.0