GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响

• 作者: 吴迪 徐丽华 梁庭 沈光地 郭晶 郭霞 顾晓玲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 极化 载流子不均匀分布 复合速率
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4977-4982
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.101

摘要

制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10 mA增加到70 mA时,理论结果与实验结果能很好符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	吴迪	北京工业大学北京市光电子技术实验室	19	109	6.0	9.0
3	郭霞	北京工业大学北京市光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
4	徐丽华	北京工业大学北京市光电子技术实验室	5	26	3.0	5.0
5	梁庭	北京工业大学北京市光电子技术实验室	10	80	5.0	8.0
6	顾晓玲	北京工业大学北京市光电子技术实验室	12	126	7.0	11.0
7	郭晶	北京工业大学北京市光电子技术实验室	7	70	5.0	7.0