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摘要:
本文将IC电过力失效机理划分为EOS和ESD分别进行阐述,EOS和ESD2种失效模式的相似使得对它们失效机理的判断变得困难,但借助SEM和FIB等先进的成像设备可以揭示2种失效机理的重要差别.本文先通过实例分析揭示了2种失效机理的差别,其中从理论角度突出对ESD失效机理和失效位置的研究;然后,借助仪器分析的结果对ESD失效案例的ESD放电路径做了合理推断,这种通过失效分析推断放电路径的方法对于改善ESD保护电路性能和提高ESD防护等级有着重要参考作用.
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文献信息
篇名 ESD的物理失效分析及放电路径的研究
来源期刊 电子测量技术 学科 工学
关键词 电过力 静电放电 失效分析 失效机理 PN结退化
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目 研究设计
研究方向 页码范围 6-9
页数 4页 分类号 TN956
字数 3015字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-7300.2007.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张之圣 天津大学电子信息工程学院 57 580 15.0 21.0
2 邱亮 天津大学电子信息工程学院 3 15 1.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
电过力
静电放电
失效分析
失效机理
PN结退化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测量技术
半月刊
1002-7300
11-2175/TN
大16开
北京市东城区北河沿大街79号
2-336
1977
chi
出版文献量(篇)
9342
总下载数(次)
50
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