新型光刻技术的现状与进展

• 作者: 张明 曹万强 杨向荣 王晓临
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 光源 曝光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 新材料新技术
• 页码范围: 102-104
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 3148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.05.026

摘要

大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.新兴的193 nm浸入式技术、157 nm极短紫外光刻(Euv)、电子束投影光刻(EPL)、纳米压印光刻等技术将是解决这些问题的关键.介绍了193nm浸入式技术、157nm光刻技术、电子束投影(EPL)光刻技术以及纳米压印光刻技术.指出纳米压印光刻技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点,能实现分辨率达5 nm以下的水平,是最具发展前途的下一代光刻技术之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹万强	湖北大学物理学与电子技术学院	73	277	8.0	15.0
2	张明	湖北大学物理学与电子技术学院	8	95	4.0	8.0
3	杨向荣	湖北大学物理学与电子技术学院	12	135	6.0	11.0
4	王晓临	湖北大学物理学与电子技术学院	4	82	2.0	4.0