基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
SOI衬底和n+衬底上SiGe HBT的研制
Si基半导体器件
SiGe HBT
SOI衬底
电极
特性曲线
直流增益β
InP衬底上电容和电阻的建模
射频
高电阻率
寄生效应
不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟
SiGeHBT
不同偏置
γ辐射
数值模拟
光学衬底上微光纤的传输损耗
微纳光纤
纳米光纤锥
光学衬底
传输损耗
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 SOI衬底和n~+衬底上SiGe HBT的研制
来源期刊 多媒体世界 学科 工学
关键词 Si基半导体器件 SiGe HBT SOI衬底 电极 特性曲线 直流增益β
年,卷(期) dmtsj_2007,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围
页数 分类号 TN322.8
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2007(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Si基半导体器件
SiGe
HBT
SOI衬底
电极
特性曲线
直流增益β
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
多媒体世界
月刊
1005-2879
CN 11-3381/G2
北京西城区三里河路58号
出版文献量(篇)
5082
总下载数(次)
1
论文1v1指导