Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

• 作者: 杨子元 王参军 许启明 魏群
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Al2O3:V3+晶体 局域结构 自旋哈密顿参量 磁相互作用
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2393-2398
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 4003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.04.089

摘要

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型,建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上,采用全组态完全对角化方法,对Al2O3晶体中V3+的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明,V3+掺入Al2O3晶体后,上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al2O3:V3+晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上,研究了三角晶场下3d2离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现,自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的,微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许启明	西安建筑科技大学材料科学与工程学院	100	725	13.0	20.0
2	杨子元	宝鸡文理学院物理系	20	109	6.0	9.0
3	魏群	西安建筑科技大学材料科学与工程学院	16	65	5.0	7.0
5	王参军	宝鸡文理学院物理系	15	86	5.0	9.0