离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 曹春芳 曹萌 谢正生
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 离子注入 退火
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1257-1259,1264
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.08.012

摘要

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.