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文献信息
| 篇名 | 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应 | ||
| 来源期刊 | 多媒体世界 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 部分耗SOI 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布 | ||
| 年，卷（期） | dmtsj_2007,（11） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | ||
| 页数 | 分类号 | TN402 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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边缘电场效应
反向窄沟道效应
杂质重新分布
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期刊影响力
多媒体世界
主办单位：
国家信息中心
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-2879
CN：
CN 11-3381/G2
开本：
出版地：
北京西城区三里河路58号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
5082
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