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原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
现在的深亚微米工艺使用复杂的多层金属结构与先进电介质材料,随着工艺的进步,集成电路的器件尺寸越来越小,金属互连线做得越来越细,金属互连产生的寄生效应对电路性能的影响也越来越明显,各种各样的问题譬如由耦合电容产生了串扰噪声和延迟,IR drop引起的电压降,高电流密度引起的电迁移效应,以及混合信号设计中DC-path泄漏已经成为非常普遍的问题.对于整个芯片,在post-layout仿真时加上提取的寄生参数,有助于在设计中精确地分析每个寄生效应.快速Spice仿真器具有大的数据处理的容量和高的处理效率,因此这种仿真流程在设计中已经被广泛地应用.讨论如何在各种模式的仿真器(如UltraSim,NanoSim和HSIM)中选择合适的仿真器来进行post-layout仿真,以及不同的选择会有什么样不同的结果,另外还将对一些post-layout仿真结果进行分析.
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文献信息
篇名 基于各种快速Spice仿真器的Post-Layout寄生效应验证
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 快速Spice仿真器 串扰 IR drop电迁移效应 DC-path泄漏
年,卷(期) 2007,(22) 所属期刊栏目 计算机应用
研究方向 页码范围 69-71
页数 3页 分类号 TN41|TP33
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.22.024
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研究主题发展历程
节点文献
快速Spice仿真器
串扰
IR drop电迁移效应
DC-path泄漏
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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135074
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