Ta基纳米薄膜扩散阻挡特性的比较研究

• 作者: 周继承 李幼真 陈海波
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 Ta基纳米薄膜 Cu扩散阻挡层 阻挡特性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 655-658
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN305.8
• 字数: 3758字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.04.043

摘要

采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Cu/Ta、Cu/Ta-N和Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征,并对N和Al的掺杂机理进行了讨论.实验结果表明,Ta、Ta-N和Ta-Al-N膜层的Cu扩散阻挡特性逐渐增强,Ta/Si界面上的反应和Cu通过多晶Ta膜扩散到Si底并形成Cu3Si共同导致了Ta阻挡层的失效,而Cu通过Ta-N和Ta-Al-N结晶后产生的晶界扩散到Si底并形成Cu3Si是两者失效的唯一机制.N的掺入促进了非晶薄膜的形成且有利于消除界面反应,而Al的掺入将进一步提高薄膜的结晶温度和热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	陈海波	中南大学物理科学与技术学院	38	261	9.0	16.0
3	李幼真	中南大学物理科学与技术学院	23	128	7.0	10.0