直拉硅单晶中氢行为的研究进展

• 作者: 李金刚 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢 氧扩散 热施主 氧沉淀 空洞型缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 2300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.09.007

摘要

总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李金刚	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0