1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

• 作者: 彭红玲 杨晓红 牛智川 韩勤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 垂直腔面发射激光器 微分增益 3dB带宽
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 863-870
• 页数: 8页
• 分类号: TN2
• 字数: 7435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.041

摘要

结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3 dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3 pm量子点VCSEL结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩勤	中国科学院半导体研究所	24	164	7.0	12.0
2	杨晓红	中国科学院半导体研究所	33	182	8.0	12.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
4	彭红玲	中国科学院半导体研究所	4	14	2.0	3.0