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原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
设计了一个在0.8 μm BiCMOS工艺、低于1 V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61 V的基准电压.该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展,采用了一种系统失调仅912 μV的新型运算放大器;采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59 dB电源抑制比和-30~150℃范围内11.7 ppm/℃的温度系数.
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温度系数
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种低电源电压曲率补偿带隙基准
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 BiCMOS 带隙基准 T型电阻网络 曲率补偿
年,卷(期) 2007,(14) 所属期刊栏目 数字/模拟电路
研究方向 页码范围 173-176
页数 4页 分类号 TN86
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.14.059
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡化 四川大学物理科学与技术学院 4 13 3.0 3.0
2 龚敏 21 25 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
BiCMOS
带隙基准
T型电阻网络
曲率补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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135074
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